在半导体制造的复杂流程中，光刻工艺占据着极为关键的地位，是决定芯片制程精度与性能的核心环节。光刻的本质是利用光线，通过掩膜版将电路图案转移到硅片表面的光敏薄膜上，进而构建起芯片的微观电路结构。其成本约占整个硅片制造工艺的三分之一，耗时更是在整个硅片工艺中占比 40%-60%，凸显了光刻工艺在半导体制造中的高成本与高时间投入特性。而光刻机作为光刻工艺的核心设备，其性能直接决定了光刻分辨率，进而主导芯片制程工艺的先进程度。指甲盖大小的芯片能够集成百亿级晶体管，背后正是高精度光刻机在发挥关键作用，因此，光刻机堪称半导体产业皇冠上的明珠，是半导体制造得以实现高精度、高性能芯片生产的基石。
自 20 世纪 60 年代首台光刻机诞生以来，光刻技术历经了多次重大变革与升级。早期的接触 / 接近式光刻，通过掩膜版与硅片直接接触或极为接近的方式实现图案转移，但存在掩膜版易损坏、分辨率有限等弊端。随后发展的光学投影光刻，借助光学系统将掩膜版图案投影到硅片上，有效提升了分辨率并减少掩膜版损耗。步进重复光刻技术进一步提高了光刻精度与效率，每次曝光一小部分区域，然后逐步移动硅片完成整个芯片的光刻。扫描光刻则在此基础上，通过同步移动掩膜版与硅片，实现更大面积的曝光，进一步提升生产效率。浸没式光刻技术引入液体介质，利用液体的高折射率特性缩短曝光波长，将光刻分辨率提升到新的高度。而极紫外光刻（EUV）的出现，更是将芯片制程推进到 5nm 及以下的先进节点，代表着当前光刻技术的最前沿水平。这一系列技术迭代，不断推动着半导体产业朝着更小尺寸、更高集成度、更强性能的方向发展。
从全球视角来看，光刻设备在晶圆厂单条产线成本中占比最高，是半导体设备中的关键工艺设备。据 Gartner 预测，2022 年全球晶圆制造设备市场中光刻设备占比 21.3%，市场规模约达 231 亿美元。随着半导体产业的持续扩张以及先进制程工艺的不断推进，对高端光刻机的需求持续增长，推动全球光刻机市场规模稳步攀升。在国内，尽管起步相对较晚，但近年来市场规模增长迅速。根据长江存储、华力集成、华虹无锡等企业 2015-2022 年的招标数据，国内光刻设备采购总体国产化率仅为 2.5%，显示出国产替代的巨大空间。不过，上海微电子等企业已取得显著进展，其光刻机产品实现了国产零的突破，为后续国产高端光刻机的发展奠定了基础，随着国内产业投入与技术创新的不断加强，国内光刻机市场规模有望迎来高速增长阶段，国产化进程也将不断加速。
光刻机产业链极为复杂，横跨多个领域，涉及众多上下游企业，呈现出高度的技术密集与产业协同特性。上游主要包括设备及组件、材料等关键领域，为光刻机的制造提供核心零部件与基础材料；中游专注于光刻机的系统集成与生产，将上游供应的各类部件整合为高性能的光刻机设备；下游则聚焦于光刻机在芯片制作、芯片封装、功率器件制造、LED、MEMS 制造等诸多领域的应用，将光刻机的高精度光刻能力转化为实际的产品价值。整个产业链环环相扣，任何一个环节的技术突破或供应波动，都可能对整个产业链的发展产生深远影响。
光刻胶作为光刻工艺中的关键材料，其性能直接影响光刻精度与芯片质量。全球光刻胶市场长期被东京应化、杜邦、JSR、住友化学等国外巨头垄断，日本企业在其中占据主导地位。光刻胶按应用领域可分为 PCB 光刻胶、显示光刻胶、半导体光刻胶等，不同类型光刻胶对性能要求各异，如半导体光刻胶需具备极高的分辨率与灵敏度。国内光刻胶产业虽已初步形成从原材料、成品制造到下游应用的产业链雏形，但在高端产品领域与国际先进水平仍存在较大差距，尤其在 EUV 光刻胶等前沿技术方面，尚处于研发攻坚阶段。不过，部分国内企业在中低端光刻胶领域已取得一定突破，实现了部分国产化替代，未来随着研发投入的持续增加，国产光刻胶有望逐步打破国外技术垄断。
电子特种气体在光刻、刻蚀、成膜、清洗、掺杂、沉积等半导体制造的多个工艺环节中发挥着不可或缺的作用。其种类繁多，包括三氟化氮等清洗气体、六氟化钨等金属气相沉积气体等。在全球市场，电子特气行业集中度较高，少数国际巨头凭借技术与规模优势占据主要市场份额。国内电子特气产业近年来发展迅速，在部分气体品种上已实现国产化供应，且产品质量不断提升。但在一些高端、特殊气体领域，仍需依赖进口。随着国内半导体产业的快速发展以及对供应链安全的重视，电子特气的国产化进程将进一步加速，相关企业有望迎来更多发展机遇。
涂胶 / 显影机作为光刻机的重要配套设备，主要承担晶圆光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等关键工艺过程。它通过精密的机械手实现晶圆在各系统之间的精准传输与处理，确保光刻胶在晶圆表面均匀涂覆，并在曝光后准确显影出所需图案。在全球市场，涂胶显影设备领域由 TEL（东京电子）等企业占据主导地位。国内涂胶显影设备企业通过持续技术研发与创新，已在中低端市场取得一定份额，产品性能逐步向国际先进水平靠拢。在国产光刻机产业快速发展的带动下，涂胶显影设备的国产化进程也将同步推进，为国内半导体制造产业链的完善提供有力支撑。
激光器是光刻机光源系统的核心组件，为光刻提供高能量、高稳定性的特定波长激光。当前，全球激光光刻机光源产业主要由荷兰 ASML 的子公司 Gigaphoton 以及日本的 Gigaphoton 公司主导，二者在基于 LPP 技术的 EUV 光刻机光源制造方面具备领先优势。国内在激光器领域也取得了显著进展，例如科益虹源自主研发的 193nm 高能准分子激光器，打破了国外技术垄断，实现了主流 ArF 光刻机使用的 6kHz、60W 光源的国产化制造。福晶科技凭借其领先的 KBBF 晶体技术，在激光设备关键零部件领域占据重要地位，为国内激光器产业发展提供了关键材料支撑。随着国内技术的不断突破，激光器领域的国产化水平将进一步提升，降低对国外进口的依赖。
掩膜版作为微电子制造过程中的图形转移母版，是平板显示、半导体、触控、电路板等行业生产制造的重要关键材料，其中半导体领域是其最主要的应用方向，占比高达 60%。掩膜版的制作工艺极为复杂，要求在微米甚至纳米级别的尺度上实现高精度的图形化，对制作设备与工艺技术要求极高。全球掩膜版市场主要由日本、韩国以及欧美等国家和地区的企业主导，国内掩膜版产业在技术水平、生产规模等方面与国际先进水平存在一定差距，但近年来通过技术引进、自主研发等方式，逐步缩小差距，部分企业已在中低端掩膜版市场实现国产化供应，在高端产品领域也在不断进行技术攻关，推动国产掩膜版产业的发展。
在全球光刻机市场，呈现出高度集中的寡头垄断态势，荷兰的 ASML、日本的 Canon 和 Nikon 三家企业占据了绝大多数市场份额。其中，ASML 凭借其在 EUV 光刻技术上的独家优势，牢牢占据高端光刻机市场的主导地位，垄断了全球 EUV 光刻机市场，市场份额高达 75%。在 ArFi、ArF 等先进光刻技术领域，ASML 同样具有显著优势，市占率分别高达 96%、88%。Canon 和 Nikon 则在中低端光刻机市场占据一定份额，主要产品包括 i-line、KrF 等类型光刻机。ASML 的技术领先地位源于其长期的技术积累、巨额的研发投入以及全球顶尖的供应链协作体系，其 EUV 光刻机能够实现低于 5nm 的单次曝光分辨率，为全球半导体产业的先进制程发展提供了关键支撑。
国内光刻机产业起步相对较晚，但在国家政策支持与企业自主创新的共同推动下，取得了一系列重要突破。上海微电子装备有限公司是国内光刻机领域的领军企业，出货量在国内市场份额占比超过 80%。其自主研发的 SSA600 系列光刻机可实现 90nm 制程芯片的批量生产，为国内半导体产业提供了重要的基础设备支持。同时，上海微电子积极推进 28nm 制程光刻机的研发与验证工作，目前已取得阶段性进展。此外，国内还有一些企业在光刻机相关技术领域进行布局与研发，如华卓精科在光刻机双工件台技术方面取得突破，成为全球唯二能够提供该技术的供应商之一，并已进入上海微电子供应链体系，为提升国产光刻机的整体性能提供了有力支撑。随着国内企业研发投入的持续增加与技术创新的不断推进，国产光刻机在技术水平与市场份额方面有望实现更大突破。
在芯片制作领域，光刻机是实现高精度芯片制造的核心设备，直接决定芯片的制程工艺与性能。随着半导体技术的不断发展，芯片制程工艺从早期的微米级逐步向纳米级迈进，对光刻机的分辨率、套刻精度等性能指标提出了越来越高的要求。EUV 光刻机的出现，使得芯片制程能够突破 5nm 甚至向更先进的 3nm、2nm 节点发展，极大地提升了芯片的集成度与运算性能。从逻辑芯片到存储芯片，各类芯片的制造都高度依赖光刻机的技术进步。例如，在高性能 CPU、GPU 芯片制造中，先进的光刻机能够实现更小的晶体管尺寸与更复杂的电路设计，从而提升芯片的运算速度与处理能力；在存储芯片领域，高精度光刻机有助于提高存储密度，降低成本，推动固态硬盘（SSD）等存储产品的性能提升与容量扩展。
芯片封装是半导体制造的后端环节，旨在保护芯片免受外界环境影响，并实现芯片与外部电路的电气连接。随着半导体产业的发展，芯片封装技术不断创新，从传统的引脚插入式封装逐步向表面贴装技术（SMT）、球栅阵列封装（BGA）、芯片级封装（CSP）以及先进的系统级封装（SiP）、晶圆级封装（WLP）等方向发展。在这些先进封装技术中，光刻工艺同样发挥着重要作用，用于制作精细的电路互连结构、微凸点等。高精度光刻机能够实现更细的线条宽度与更高的封装精度，提高芯片封装的密度与性能，增强芯片与外部电路的连接可靠性，同时减小封装尺寸，满足电子产品小型化、高性能化的发展需求。
功率器件主要用于电力设备的电能变换与电路控制，是电力电子领域的核心部件。在功率器件制造过程中，光刻工艺用于定义器件的有源区、栅极、漏极等关键结构。随着新能源汽车、智能电网、工业自动化等领域的快速发展，对功率器件的性能要求不断提高，如更高的耐压能力、更低的导通电阻、更快的开关速度等。先进的光刻技术能够实现功率器件结构的精细化设计与制造，优化器件的电学性能，提高功率转换效率，降低能耗。例如，在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体功率器件制造中，高精度光刻机对于实现这些新型材料器件的高性能、高可靠性具有关键作用，有助于推动新能源产业的发展。
在 LED 制造领域，光刻工艺用于制作 LED 芯片的电极、有源层等结构，影响着 LED 的发光效率、颜色均匀性等性能指标。通过光刻技术可以实现 LED 芯片的精细化制造，提高芯片的出光效率，降低生产成本，推动 LED 在照明、显示、汽车大灯等领域的广泛应用。对于 MEMS（微机电系统）制造而言，光刻是构建微机械结构、微传感器、微执行器等部件的关键工艺。MEMS 器件广泛应用于智能手机、汽车电子、医疗设备、航空航天等领域，如加速度计、陀螺仪、麦克风等。高精度光刻机能够实现 MEMS 器件的微小化、集成化制造，提升 MEMS 器件的性能与可靠性，拓展其应用范围，为物联网、人工智能等新兴技术的发展提供基础支撑。
随着半导体产业对芯片性能与集成度的追求永无止境，芯片制造工艺节点不断朝着更小尺寸方向发展。从早期的微米级制程逐步演进到如今的 5nm、3nm 甚至更先进的节点，每一次制程工艺的突破都离不开光刻技术的创新与升级。目前，EUV 光刻技术已实现 5nm 制程芯片的量产，并朝着 3nm 及以下节点推进。为了进一步缩小工艺节点，一方面需要不断提升光刻机的分辨率，通过优化光源、光学系统等关键部件，缩短曝光波长，提高光刻精度；另一方面，多重曝光技术、自对准双重图案化（SADP）等先进光刻技术也将得到更广泛应用，以在现有光刻设备基础上实现更小尺寸的电路图案转移，满足半导体产业对极致芯片性能的需求。
曝光波长是影响光刻分辨率的关键因素之一，随着芯片制程工艺的不断进步，曝光波长呈现出逐渐缩短的趋势。早期的光刻技术采用较长波长的光源，如 g-line（436nm）、i-line（365nm），随着技术发展，KrF（248nm）、ArF（193nm）等短波长光源逐渐成为主流。而 EUV 光刻技术更是将曝光波长缩短至 13.5nm，实现了光刻分辨率的大幅提升。未来，为了满足更先进制程工艺对光刻分辨率的严苛要求，研究人员正在探索极紫外波段（EUV）以外的更短波长光源，如 X 射线光刻、电子束光刻等技术，尽管这些技术在实际应用中仍面临诸多挑战，如光源强度、设备成本、工艺复杂性等，但一旦取得突破，将为半导体制造带来全新的发展机遇，推动芯片制程工艺迈向新的高度。
无掩模光刻技术作为一种新兴的光刻技术路径，与传统有掩模光刻技术不同，它无需使用掩膜版，而是通过计算机控制的电子束、激光束或离子束等直接在硅片上进行图案绘制。这种技术具有灵活性高、无需掩膜版制作成本、可快速实现设计变更等优势，尤其适用于小批量、高定制化芯片的生产。目前，电子束直写光刻机作为无掩模光刻技术的代表，已在一些特定领域得到应用，如集成电路设计验证、掩膜版制作等。但无掩模光刻技术也面临着生产效率较低、设备成本高昂等问题，未来需要通过技术创新，如提高束流速度、优化光束聚焦与扫描方式等，提升其生产效率与性价比，以实现更广泛的应用。
纳米压印光刻（NIL）技术是一种基于物理压印原理的光刻技术，通过将带有纳米级图案的模板压印到涂有光刻胶的硅片上，实现图案转移。与传统光刻技术相比，NIL 技术具有分辨率高、成本低、工艺简单等优势，有望在下一代光刻技术中占据重要地位。目前，NIL 技术在一些领域已取得阶段性成果，如在微纳光学器件制造、生物芯片制造等方面得到应用。然而，NIL 技术在模板制作、压印过程中的均匀性控制、光刻胶脱模等方面仍存在技术难题，需要进一步的研究与开发，以提高其技术成熟度与稳定性，推动其在半导体芯片制造等主流领域的应用。
由于美国等西方国家对我国半导体产业的技术封锁与设备禁运，光刻机作为半导体制造的核心 “卡脖子” 设备，国产化替代需求极为迫切。国内企业为了保障自身供应链安全，降低对国外进口光刻机的依赖，纷纷加大对国产光刻机及相关产业链的投资与支持力度。从上游的零部件、材料供应商，到中游的光刻机整机制造商，再到下游的应用企业，整个产业链都将受益于国产替代进程。随着国产光刻机技术的不断突破与产品性能的逐步提升，国产替代空间巨大，相关企业有望迎来快速发展机遇，这构成了产业链投资的重要逻辑之一。
光刻技术的持续创新是半导体产业发展的核心驱动力之一。随着芯片制程工艺不断向更小尺寸迈进，对光刻机的性能要求也越来越高，这促使产业链各环节企业加大研发投入，进行技术创新。从光源、光学系统、工件台等关键部件的技术升级，到新型光刻技术如无掩模光刻、NIL 压印技术的研发探索，每一次技术创新都可能带来新的投资机会。具有技术创新能力、掌握核心技术的企业，在市场竞争中将占据优势地位，其技术成果的产业化应用将为企业带来显著的经济效益，也为投资者带来丰厚回报，因此技术创新推动是产业链投资的重要逻辑支撑。
随着 5G 通信、人工智能、物联网、新能源汽车等新兴技术与产业的快速发展，对半导体芯片的需求呈现出爆发式增长，且需求类型更加多元化。这些新兴应用领域不仅对芯片的性能、功耗、尺寸等方面提出了更高要求，也为光刻机产业带来了新的市场机遇。例如，在 5G 基站建设中，需要高性能的基带芯片、射频芯片等，其制造离不开高精度光刻机；人工智能领域的训练与推理芯片，对芯片的算力与能效比要求极高，推动了先进制程光刻机的发展；物联网设备数量的海量增长，对低功耗、小尺寸芯片需求大增，促使光刻技术在满足这些特殊需求方面不断创新。新兴应用市场的拓展，为光刻机产业链企业提供了广阔的市场空间，驱动企业加大研发投入，开发适用于不同应用场景的光刻技术与产品，从而带动整个产业链的发展，构成了产业链投资的又一重要逻辑。
上海微电子作为国内光刻机领域的领军企业，在国产光刻机研发与生产方面发挥着中流砥柱的作用。公司已成功实现 SSA600 系列光刻机的量产，该系列光刻机可满足 90nm 制程芯片的生产需求，为国内半导体产业提供了关键的基础设备支持，在国内市场份额占比超过 80%。目前，上海微电子正全力推进 28nm 制程光刻机的研发工作，且已取得阶段性突破，有望在未来实现国产 28nm 光刻机的量产，打破国外在该领域的技术封锁。从投资角度来看，随着国产半导体产业的快速发展以及国产替代进程的加速，上海微电子将受益于国内市场对国产光刻机的巨大需求。公司在技术研发、产品制造、市场渠道等方面已积累了丰富的经验与资源，具备较强的市场竞争力。若未来能够成功攻克 28nm 及更先进制程光刻机技术，其市场份额与盈利能力有望实现大幅提升，具有较高的投资价值与潜力。
华卓精科专注于光刻机双工件台技术的研发与生产，是全球仅有的两家能够提供该技术的供应商之一，技术实力处于国际领先水平。双工件台系统作为光刻机的核心组件之一，对提高光刻机的生产效率与光刻精度具有关键作用。华卓精科的双工件台产品已成功进入上海微电子供应链体系，为国产光刻机性能的提升提供了有力支撑。随着国产光刻机产业的发展，对双工件台等核心零部件的需求将持续增长。华卓精科凭借其领先的技术优势、稳定的产品质量以及与国内光刻机龙头企业的紧密合作关系，有望在国内市场占据主导地位，并逐步拓展国际市场。从投资价值分析，公司所处细分领域技术壁垒高，市场前景广阔，随着业务规模的不断扩大与技术的持续创新，盈利能力将不断增强，具备良好的投资前景。
科益虹源在光刻光源技术领域取得了重大突破，自主研发的 193nm 高能准分子激光器，实现了主流 ArF 光刻机使用的 6kHz、60W 光源的国产化制造，打破了国外在光刻光源领域的技术垄断。光源系统作为光刻机的核心子系统之一，其性能直接影响光刻机的曝光能力与光刻精度。科益虹源的光源产品在稳定性、功率输出等关键指标上已达到国际先进水平，为国产光刻机的发展提供了可靠的光源保障。随着国内半导体产业对高端光刻设备需求的增加，以及国产光刻机技术的不断升级，对高质量光刻光源的需求将持续攀升。科益虹源凭借其在光源技术上的领先优势，将在国内光刻光源市场占据重要地位，并有望随着国产光刻机的出口实现国际市场的拓展，投资价值显著。
芯源微是国内涂胶显影设备领域的领先企业，专注于为半导体制造、先进封装、LED 等领域提供高端涂胶显影设备及系统解决方案。公司产品涵盖了光刻前涂胶、光刻后显影等多个工艺环节，在国内市场具有较高的知名度与市场份额。在半导体制造工艺不断升级的背景下，对涂胶显影设备的精度、稳定性、自动化程度等要求越来越高。芯源微通过持续的技术创新，不断提升产品性能，满足客户日益增长的需求。同时，公司积极拓展市场，与国内众多半导体企业建立了长期稳定的合作关系。随着国内半导体产业的快速发展以及国产替代进程的推进，涂胶显影设备市场需求将持续增长，芯源微有望凭借其技术、市场与品牌优势，进一步扩大市场份额，提升盈利能力，为投资者带来良好回报。
光刻机产业属于技术密集型产业，技术更新换代极为迅速。从全球范围来看，荷兰 ASML 等行业巨头凭借长期的技术积累与巨额研发投入，在光刻技术领域占据领先地位，不断推出更先进的产品与技术，如 ASML 持续推进 EUV 光刻技术的升级迭代，向更高数值孔径（NA）、更小工艺节点迈进。对于国内企业而言，尽管在部分领域取得了一定突破，但整体技术水平与国际先进水平仍存在较大差距。在研发过程中，国内企业面临着诸多技术难题，如极紫外光刻（EUV）光源的稳定性提升、高精度光学系统的制造工艺优化、先进光刻胶材料的研发等。这些技术难题的攻克需要大量的资金、高端人才以及长时间的研发投入，且研发结果具有高度不确定性。若国内企业在技术研发上无法取得有效突破，将难以在全球市场竞争中占据优势地位，可能导致企业市场份额萎缩，投资回报率降低。
半导体产业作为国家战略性产业，受到各国政府的高度关注，政策环境对产业发展影响深远。一方面，美国等西方国家为了维护其在半导体领域的技术优势与产业主导地位，对我国半导体产业实施了一系列严厉的技术封锁与贸易限制政策。例如，通过《瓦森纳协定》等手段，限制高端光刻机及相关零部件、技术的对华出口，阻碍我国半导体产业的技术升级与发展。另一方面，国内政府为了推动半导体产业的自主可控发展，出台了一系列支持政策，包括产业扶持资金、税收优惠、研发补贴等。然而，政策的实施效果可能受到多种因素影响，如政策执行力度、政策调整频率等。若未来国内政策支持力度减弱，或者国际政策环境进一步恶化，将对我国光刻机产业的发展带来不利影响，增加企业的经营风险与投资风险。
在全球光刻机市场，呈现出高度集中的竞争格局，荷兰 ASML、日本 Canon 和 Nikon 三家企业占据了绝大部分市场份额，其中 ASML 在高端光刻机市场几乎处于垄断地位。这些国际巨头凭借先进的技术、成熟的产品、完善的供应链体系以及广泛的客户资源，在市场竞争中具有显著优势。国内光刻机企业虽然在近年来取得了一定发展，但在技术水平、产品性能、品牌影响力等方面与国际企业存在较大差距。随着全球半导体产业的发展，市场竞争将愈发激烈，国内企业不仅需要在国内市场与国际企业竞争，还面临着拓展国际市场的巨大挑战。若国内企业不能有效提升自身竞争力，将难以在市场竞争中脱颖而出，可能导致市场份额下降、盈利能力减弱，影响企业的可持续发展与投资者的收益。
光刻机作为半导体制造的核心设备，其产业链复杂且关键，对全球半导体产业发展起着决定性作用。从产业发展历程来看，光刻技术不断革新，推动芯片制程工艺持续进步，市场规模也随之稳步增长。产业链上下游各环节紧密相连，上游的光刻胶、电子特气、激光器等关键材料与组件，中游的光刻机整机制造，以及下游的芯片制作、封装等应用领域，共同构成了庞大而复杂的产业生态。技术发展趋势上，工艺节点持续缩小、曝光波长不断缩短，同时无掩模光刻、NIL 压印技术等新兴技术为产业发展带来新的机遇与可能。
在投资机会方面，国产替代需求迫切，国内企业在政策支持下不断加大研发投入，有望在关键技术与产品上实现突破，带动产业链相关企业发展；技术创新推动下，掌握核心技术、具备创新能力的企业将在市场竞争中占据优势，为投资者带来丰厚回报；新兴应用市场的拓展，如 5G、人工智能、物联网等领域对半导体芯片的大量需求，也为光刻机产业链创造了广阔的市场空间。然而，投资过程中也面临着技术研发风险、政策变动风险以及市场竞争风险等诸多挑战。
总体而言，尽管光刻机产业链投资存在一定风险，但在全球半导体产业持续发展、国内产业政策大力支持以及技术创新不断推进的背景下，其长期投资前景依然广阔。投资者应密切关注产业链各环节企业的技术进展、市场表现以及政策动态，合理评估风险与收益，把握投资机会，分享光刻机产业发展带来的红利。
一、光刻机核心概念股（截至2025年3月）
-
整机及核心部件企业
- 张江高科：通过子公司持有上海微电子10.78%股权，其600系列光刻机可满足90nm制程需求，2025年3月股价表现活跃。
- 奥普光电：实控人长春光机所参与90nm光刻机曝光系统研发，技术积累深厚。
- 上海电气：母公司为上海微电子第一大股东，间接布局光刻机整机业务。
- 东方明珠：间接参股上海微电子，受益于国产光刻机技术突破。
-
核心部件供应商
- 波长光电：提供光刻机配套大孔径光学镜头和平行光源系统，产品进入半导体光刻检测领域。
- 茂莱光学：光刻机曝光物镜用光学器件最大口径达300mm，支持KrF、ArF等高端光刻机。
- 福晶科技：向ASML、华为等供应光学元件，技术获国际认可。
- 赛微电子：MEMS芯片和GaN外延材料业务与光刻机产业链协同。
-
材料与设备配套
- 彤程新材：光刻胶国产化主力企业，与光刻机制造协同发展。
- 晶瑞新材：布局高端光刻胶，支持半导体制造国产化。
- 华特气体：特种气体供应商，覆盖光刻机生产环节。
二、光刻机产业链布局
-
整机研发与制造
- 国产主力：上海微电子（张江高科参股）、长春光机所（奥普光电关联）。
- 国际龙头：ASML供应链企业如福晶科技、炬光科技等。
-
核心部件环节
- 光源系统：波长光电、福晶科技、炬光科技。
- 物镜系统：茂莱光学、永新光学、奥普光电。
- 工件台与掩膜版：华亚智能、清溢光电、路维光电。
-
材料与工艺支持
- 光刻胶：彤程新材、晶瑞新材、南大光电。
- 精密加工：安泰科技、中瓷电子、大族激光（激光设备）。
-
下游应用与制造
- 晶圆制造：中芯国际、华虹半导体（依赖光刻机设备）。
- 封装测试：长电科技、通富微电（光刻工艺延伸环节）。
三、市场动态与趋势
-
政策与资本支持
- 国内对光刻机产业链投资力度加大，2025年3月中信证券指出国产高端光刻机发展加速，带动设备、材料企业受益。
- 上海微电子等企业获国资背景支持，推动技术自主化突破。
-
技术突破与市场表现
- 茂莱光学2025年3月单日涨幅超10%，光刻机概念股逆势活跃。
- 波长光电、永新光学等企业因产品进入ASML供应链，估值提升显著。
-
风险提示
- 部分企业市盈率畸高（如张江高科动态市盈率58倍），需警惕市场炒作风险。
- 国际技术封锁持续，福晶科技等企业客户集中度高，存在供应链波动风险。
以上内容综合光刻机产业链上下游企业及市场热点，覆盖整机制造、核心部件、材料配套等关键环节，标注来源为相关市场动态及产业链分析。
